传长江存储成功打入小米iPhone供应链

3翌年29日消息，据来台报道，已对更有四起消息指，中的华人民共和国NAND Flash（RAM）笔记本电脑大厂汉水磁盘（YMTC）今年年底杀入取而代之的产品iPhone的Flash产品开发。根据汉水磁盘已出货原订看，应是杀入了取而代之的产品快要披露的iPhone SE 3产品开发。

取而代之的产品iPhone的Flash供应商此前主要为SK 海力士和铠侠（Kioxia），因此汉水磁盘尝试杀入iPhone产品开发，也自由基了其在NAND Flash技术上已经筋疲力尽了国际大厂。同时也意味着在对政府的支持者下，中的华人民共和国的NAND Flash传统产业发展卓有成效。

据传统产业分析师透露，由于汉水磁盘技术大抵是自行共同开发，其RAM均基于自研的Xtacking架构，因此没有发明专利弊端。

资料推断，汉水磁盘成立于2016年7翌年，由光集团、国家半导体传统产业投资全额、湖北省半导体传统产业投资全额、湖北科投在宜昌取而代之芯的基础上组动工立。据统计，汉水磁盘总投资达1600亿元。

2016年12翌年，以汉水磁盘为大体上的国家磁盘器基地年底投入使用建设，其中的包含3座全球单座洁净覆盖面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部共同开发设计大楼和其他若干可实现建筑，原订概念设计动工后总生产成本将翻倍30万片/翌年，年产值将高达100亿美元。

借助于宜昌取而代之芯已有的12英寸高效率半导体技术共同开发设计与生产制做能力也为基础，采取前提共同开发设计与国际合作开发双轮驱动的方式则，汉水磁盘年末2017年研制尝试了中的华人民共和国第一颗3D NANDRAM笔记本电脑。而随着2018年汉水磁盘的32层NAND Flash的试作，国产RAM笔记本电脑终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际非主流技术相距甚远小得多，所以并未在市场获得尝试。

2019年9翌年汉水磁盘年底无限期，尝试试作基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。据汉水磁盘介绍，该RAM考虑到固态硬盘、笔记本电脑磁盘等非主流市场运用需求，与以外专业人士已证券交易所的64/72层3D NANDRAM相比，其保有同代的产品中的更好磁盘密度。

随后汉水磁盘的64层256Gb TLC 3D NANDRAM还尝试杀入了华为Mate40第一部的产品开发。

为了进一步缩短与惠普、SK海力士、铠侠等公司的差别，汉水磁盘紧接了96层，反之亦然进行了128层3D NAND Flash的共同开发设计。

2020年4翌年13日，汉水磁盘无限期其128层QLC 3D NAND RAM（型号：X2-6070）共同开发设计尝试，并已在多家控制器制造厂商SSD等终端磁盘的产品上通过验证。

据介绍，汉水磁盘X2-6070是更有首款128层QLCXT的3D NANDRAM，保有更有已知型号的产品中的极高其他部门覆盖面积磁盘密度，极高I/O传输速度和极高单颗NAND RAM笔记本电脑容量。此次同时披露的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）XTRAM笔记本电脑（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以考虑到不同运用场景的需求。

2020年8翌年，汉水磁盘又另一款自有磁盘品牌“致钛”，随后另一款了一第一部自有品牌SSD的产品，并在市场上获得了差强人意的表现。

去年10翌年，欧美至高无上分析机构Tech Insights对汉水磁盘的128层TLC 3DRAM进行了笔记本电脑级的拆解，发掘出其磁盘密度翻倍了以外专业人士极高的8.48 Gb/mm²，远高于惠普、大厂、SK海力士等一线NAND笔记本电脑大厂。

最取而代之的消息推断，以外汉水磁盘已需有192层3DRAM生生产成本力也。并且在翌年生产成本尤其，意味著已经翻倍了非常少10万片的为数。

虽然汉水磁盘在磁盘技术上正在快速追上国际一线制造厂商，并且差别也正在缩小，但是不可否认的是，以外差别依然存在，尤其是生产成本上的差别。要发觉以外非常少惠普咖啡店的NAND Flash的生产成本已经翻倍了达50万片/翌年的为数。

随着此次汉水磁盘的NAND Flash尝试杀入iPhone产品开发，难免将进一步助力汉水磁盘的对于惠普、SK海力士、铠侠等头部制造厂商的追上。

主笔：芯智讯-浪客匕首